محاكاة اعتمادية الترانزستور IGBT في منظومة الطاقة الشمسية

الملخص

اكتسبت أنظمة القدرة الالكترونية تدريجيا مكانة مهمة في مجموعة واسعة من التطبيقات الصناعية، ووفقا لدلك تبدل الأبحاث الحديثة جهدا لتحسين اعتمادية أنظمة القدرة الالكترونية للامتثال لقيود اكثر صرامة علي السلامة والتكلفة والاعتمادية. تتكون أنظمة القدرة الالكترونية من مكونات مختلفة ومن بينها اجهزة اشباه موصلات الطاقة وهي واحدة من أكثر مكونات الدوائر الالكترونية عرضة للأعطال، وتلعب دورا رئيسيا في مخرجات واعتمادية أنظمة القدرة الالكترونية الشاملة. احدى هذه العناصر هو ترانزستور ثنائي القطب معزول البوابة IGBT، كما ان اجهاد درجة الحرارة هو عامل ضغط رئيسي يؤدي الي فشل وحدات IGBT . في هذه الورقة تم دراسة اليات الفشل واعتمادية ترانزستور IGBT في تطبيقات الطاقة الشمسية، واجراء المحاكاة لتقييم سلوك الترانزستور في ظل ظروف التشغيل المختلفة، مثل درجات الحرارة المتفاوتة باختلاف الاشعاع الشمسي على مدار اليوم، ومستويات الجهد.